【我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件】財聯(lián)社2月2日電，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。據(jù)中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽為“電力電子系統(tǒng)的心臟”，是最為基礎(chǔ)、應用最為廣泛的器件之一。隨著硅基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，以其獨特優(yōu)勢可滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化、輕量化需求，對新一代航天技術(shù)發(fā)展具有重要戰(zhàn)略意義。

業(yè)內(nèi)專家認為，我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件，標志著在以“克”為計量的空間載荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牽引空間電源系統(tǒng)的升級換代，為未來我國在探月工程、載人登月、深空探測等領(lǐng)域提供新一代功率器件。 (新華社)